高电子迁移率晶体管 (HEMT/InP HEMT)

        GaAs/InP(砷化镓/磷化铟)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT，同时结合了InAlAs/InGaAs/InP基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的优点以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的优势，在毫米波频段展现出良好的应用潜力。  

        HEMT高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。      

        这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结。高迁移率的二维电子气（2DEG）存在于调制掺杂的异质结中，这种2DEG不仅迁移率很高，而且在极低温度下也不“冻结”，则HEMT有很好的低温性能, 可用于低温研究工作中。

        中科芯电产品包括射频用化合物半导体 PHEMT、HMT 以及光电子用VCSEL 等产品。PHEMT、VCSEL 等产品的主要指标达到国际水平。以 6 英寸PHEMT 为例，如电子迁移率、二维位电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标。

        现拥大型生产型分子束外延设备工艺线，包括全套的国际分析检测设备。建有2000多平方米的配套厂房，其中包括百级超净半导体和以及相关完备的无尘生产车间的配套设施。并通过引进国外大型分子束外延（MBE）量产化设备，实现产品规模化生产。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。