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新闻动态

2021中国光博会-中科芯电欢迎您

Welcome to ACS Shenzhen CIOE 2021
2021中国光博会-中科芯电欢迎您（深圳国际会展中心宝安新馆 9.16-18 No.2C241）#CIOE #光博会

넶271 2021-12-08
喜讯!热烈祝贺我司获得“高新技术企业证书”

喜讯！近日，公司收到由北京市科学技术委员会、北京市财政局、国家税务总局北京市税务局联合颁发的《高新技术企业证书》。

넶150 2022-03-07
以技术创新促进成果转化，中科芯电荣获《知识产权试点单位证书》

以技术创新促进成果转化，中科芯电荣获《知识产权试点单位证书》

넶130 2022-02-18

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中科芯电具有多项原创性研究成果，中科芯电当前共有多个专利，包括发明专利和实用新型专利。

产品技术

中科芯电产品包括射频用化合物半导体 PHEMT、HEMT 以及光电子用VCSEL等芯片材料产品。PHEMT、VCSEL 等产品的主要指标达到国际水平。以 6 英寸PHEMT 为例，中科芯电在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到国际同类产品指标水平。

赝配高电子迁移率晶体管 (PHEMT)-GaAs砷化镓外延片

中科芯电产品包括射频用化合物半导体 PHEMT、HEMT 等产品的主要指标达到国际水平，在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到国际同类产品指标水平。

GaAs、InP基雪崩光电二极管（APD）外延片

ACS运用各类先进技术研发和制造高品质雪崩光电二极管。材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制：包括不同波长、速度和容量下的灵敏度等。ACS致力于为您制造适合的产品。

砷化镓衬底上的大失配HEMT (MHEMT )-结合InP（磷化铟）

规格：4英寸-6英寸

霍尔元件材料（Hall components GaAs Epi Wafer）砷化镓外延片

霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。

高电子迁移率晶体管 (HEMT/InP HEMT)

规格：4英寸-6英寸

激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs

激光二极管(Laser Diode) 的LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation（基于受激发射的光放大）"的首字母组成的缩写单词，激光二极管也被称为半导体激光器，通常简称为LD。

GaAs Photocathode光电阴极外延片

GaAs光电阴极具有负电子亲和势能，因而具有量子效率高、发射电子能量和角度分布集中的优点，因而在微光像增强器、半导体敏感器件、自旋极化电子源等众多领域得到了广泛的应用，但GaAs光电阴极的制备过程却极为复杂，对制备工艺和条件都有严格要求。

异质结双极暨假晶高电子迁移率晶体管外延芯片（BiHEMT）

ACS运用各类先进技术研发和制造高品质异质结双极暨假晶高电子迁移率晶体管外延产品。材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制。ACS致力于为您制造适合的产品。

GaAs、InP基光子雪崩二极管（SPAD）外延片

ACS运用各类先进技术研发和制造高品质光子雪崩二极管。材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制。ACS致力于为您制造适合的产品。

光电二极管器件材料（Photo-Diode）--砷化镓、磷化铟外延片

ACS运用各类先进技术研发和制造高品质光电二极管，材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制：磷化铟、砷化镓基的光电二极管。ACS致力于为您制造适合的产品。

砷化镓衬底/晶圆 GaAs Wafer，磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer

2吋、3吋、4吋、6吋砷化镓衬底、磷化铟衬底

磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer

各种规格的磷化铟衬底

Wafer测试、衬底/晶圆测试、外延测试服务

ACS拥有国内优秀的半导体科研团队、先进的半导体测试设备，为您提供精确、完善的服务

异质结双极晶体管 HBT外延片 AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs

阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs

光电子砷化镓外延片-垂直共振腔面发射型激光器结构材料 (VCSEL)

中科芯电VCSEL 等产品的主要指标达到国际水平。以 6 英寸PHEMT 为例，中科芯电在电子迁移率、二位电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到国际同类产品指标水平。

金属半导体场效应晶体管 (GaAs-MESFET)砷化镓外延片

规格：4英寸-6英寸

砷化镓GaAs边射型激光器结构材料 (GaAs EdgeEmitting Lasers)

规格：3英吋-4英吋

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关于我们

中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业从事化合物微电子与光电子芯片外延材料研发并大规模生产的高端科技企业。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地，并在筹建MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。

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品牌数字化赋能系统

面向全球各行业客户提供优质的显控解决方案

砷化镓外延专业供应商

中科芯电砷化镓外延技术专业设计与开发

独家专利技术结合大数据能力，专注帮助企业实现品牌管理

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化合物半导体外延材料专家

我们以高科技的心创造未来

砷化镓 5G核心材料

砷化镓外延技术专家化合物半导体专业生产厂

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