中科芯电半导体科技(北京)有限公司官网,中科芯电官网    激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
图片1

激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs

激光二极管(Laser Diode) 的LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(基于受激发射的光放大)"的首字母组成的缩写单词,激光二极管也被称为半导体激光器,通常简称为LD。

LD可产生波长及相位等性质完全一样的光,因此相干性高(coherent)是其最大特点。

利用注入电流产生的光在2片镜片之间往返放大,直至激光振荡。简单的说,激光二极管也可以说成是一个通过反射镜将光放大的发光LED

镭射二极管(Laser Diode, LD)具有轻、薄、短、小、高寿命、耐震、方向性佳及输出功率高等特性,适合供作长距离、大容量之通信用光源及存取高密度记录媒体,已大量应用于光通讯与光储存产业上,LD之发展颇被看好。

我司可生产的外延片红外波长

  • 808nmDPSS NdYAG 激光器中的 GaAlAs 泵浦(例如,在绿色激光指示器中或作为高功率激光器中的阵列)
  • 848nm 激光鼠标
  • 980nm:用于光放大器的InGaAs泵浦,用于YbYAG DPSS激光器
  • 1064 nm AlGaAs 光纤通信,DPSS 激光泵浦频率

 

专业生产:砷化镓GaAs外延片 磷化铟InP外延片