中科芯电半导体科技（北京）有限公司官网,中科芯电官网  ꄲ  砷化镓衬底/晶圆 GaAs Wafer，磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer
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砷化镓衬底/晶圆 GaAs Wafer，磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer

2吋、3吋、4吋、6吋砷化镓衬底、磷化铟衬底
ꄴ前一个： 磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer
ꄲ后一个： 赝配高电子迁移率晶体管 (PHEMT)-GaAs砷化镓外延片

        中科芯电提供高品质2-6吋砷化镓衬底，详细规格参数文档请于以下联系方式索取。

 

        我们的晶圆由 LEC 或 VGF 生长的 GaAs 单晶加制成。所需的电气性能是通过添加碳，硅，硅或锌获得的 n 型或 p 型高电阻 或低电阻半导体。晶圆表面具有极低的污染，适合直接用于表皮处理。

 

产品规格如下

专业生产：砷化镓GaAs外延片 磷化铟InP外延片

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