磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer
各种规格的磷化铟衬底
半绝缘（Semi-Insulating）磷化铟衬底（InP Wafers）Prime Epi-Ready
p-type 磷化铟衬底（InP Wafers）Prime Epi-Ready
n-type 磷化铟衬底（InP Wafers）Prime Epi-Ready
采用VGF工艺制备，保证材料的纯度。我们所有的基片都经过精密抛光并充保护气氛保护，满足Epi-Ready使用要求。我们提供各种尺寸规格，晶向，抛光，掺杂和定制化的晶片，您有需要请与我们联系。
产品规格
| 生长方式（Growth Method） | VGF |
| 掺杂类型（Dopant） | n-type: S, Sn AND Undoped |
| 晶圆形状（Wafer Shape） | Round (DIA: 2", 3", AND 4") |
| 晶向（Orientation） | (100)，（110） |
*其他晶向可根据要求提供
| Dopant | S & Sn (n-type) | Undoped (n-type) |
| Carrier Concentration (cm-3) | (0.8-8) × 1018 | (1-10) × 1015 |
| Mobility (cm2/V.S.) | (1-2.5) × 103 | (3-5) × 103 |
| Etch Pitch Density (cm2) | 100-5,000 | ≤ 5000 |
| 晶圆直径（Wafer Diameter） (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| 厚度（Thickness） (µm) | 350±25 | 600±25 | 600±25 |
| 总厚度偏差（TTV ）[P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| 总厚度偏差（TTV ）[P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| 翘曲度（WARP） (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| 主定位边（OF） (mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| 次定位边（OF / IF） (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| 抛光（Polish*） | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
