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金属半导体场效应晶体管 (GaAs-MESFET)砷化镓外延片

规格:4英寸-6英寸

        GaAs(砷化镓)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT,同时结合了InP(磷化铟)基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的优点以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的优势,在毫米波频段展现出良好的应用潜力。 

     

        GaAs-MESFET(Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-半导体[接触势垒]场效应晶体管)具有优良的微波、高速、大功率和低噪音等性能。例如,对于栅长L=1μm、栅宽W=250μm的微波GaAs-MESFET的噪音,在C波段时为1 dB (相应的BJT为2 dB),在Ku波段时为2.5~3 dB (相应的BJT为5 dB)。与微波硅BJT相比,GaAs-MESFET不仅工作频率高 (可达60GHz)、噪声低,而且饱和电平高、可靠性高等;这是由于与硅相比,n-GaAs外延材料的电子迁移率要大5倍、峰值漂移速度要大2倍,而且器件的衬底可用半绝缘GaAs(SI- GaAs )以减小寄生电容。

 

        此外,HEMT由于其栅极往往是Schottky势垒栅,故实际上也可以看成是一种性能特别优良的超高频、超高速的MESFET。

 

        MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求,MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构(图1.24)。就PN结的特性而言,与肖特基二极管并无本质上的区别。众所周知,肖特基势垒的基本结构就是“Metal-Semiconductor”(金属-半导体),MESFET也是由此得名。虽然都是横向沟道,但是MESFET的沟道更短。

专业生产:砷化镓GaAs外延片 磷化铟InP外延片