砷化镓衬底上的大失配HEMT (MHEMT )-结合InP（磷化铟）

        GaAs(砷化镓)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT，同时结合了InP（磷化铟）基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的优点以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的优势，在毫米波频段展现出良好的应用潜力。

        中科芯电产品PHEMT、VCSEL 等产品的主要指标达到国际水平。以 6 英寸PHEMT 为例，中科芯电在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到或优于IQE（国际 GaAs 巨头企业）同类产品指标水平。

        现拥有美国Veeco公司的GEN2000、GEN200大型生产型分子束外延设备工艺线，包括全套的国际一流分析检测设备。建有2000多平方米的配套厂房，其中包括百级超净半导体和以及相关完备的无尘生产车间的配套设施。并通过引进国外大型分子束外延（MBE）量产化设备，实现产品规模化生产。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。