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赝配高电子迁移率晶体管 (PHEMT)-GaAs砷化镓外延片
中科芯电产品包括射频用化合物半导体 PHEMT、HEMT 等产品的主要指标达到国际水平，在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到国际同类产品指标水平。¥ 0.00立即购买
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GaAs、InP基雪崩光电二极管（APD）外延片
ACS运用各类先进技术研发和制造高品质雪崩光电二极管。材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制：包括不同波长、速度和容量下的灵敏度等。ACS致力于为您制造适合的产品。¥ 0.00立即购买
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砷化镓衬底上的大失配HEMT (MHEMT )-结合InP（磷化铟）
规格：4英寸-6英寸¥ 0.00立即购买
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霍尔元件材料（Hall components GaAs Epi Wafer）砷化镓外延片
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。¥ 0.00立即购买
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高电子迁移率晶体管 (HEMT/InP HEMT)
规格：4英寸-6英寸¥ 0.00立即购买
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激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
激光二极管(Laser Diode) 的LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation（基于受激发射的光放大）"的首字母组成的缩写单词，激光二极管也被称为半导体激光器，通常简称为LD。¥ 0.00立即购买
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GaAs Photocathode光电阴极外延片
GaAs光电阴极具有负电子亲和势能，因而具有量子效率高、发射电子能量和角度分布集中的优点，因而在微光像增强器、半导体敏感器件、自旋极化电子源等众多领域得到了广泛的应用，但GaAs光电阴极的制备过程却极为复杂，对制备工艺和条件都有严格要求。¥ 0.00立即购买
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异质结双极暨假晶高电子迁移率晶体管外延芯片（BiHEMT）
ACS运用各类先进技术研发和制造高品质异质结双极暨假晶高电子迁移率晶体管外延产品。材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制。ACS致力于为您制造适合的产品。¥ 0.00立即购买
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GaAs、InP基光子雪崩二极管（SPAD）外延片
ACS运用各类先进技术研发和制造高品质光子雪崩二极管。材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制。ACS致力于为您制造适合的产品。¥ 0.00立即购买
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光电二极管器件材料（Photo-Diode）--砷化镓、磷化铟外延片
ACS运用各类先进技术研发和制造高品质光电二极管，材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制：磷化铟、砷化镓基的光电二极管。ACS致力于为您制造适合的产品。¥ 0.00立即购买
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砷化镓衬底/晶圆 GaAs Wafer，磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer
2吋、3吋、4吋、6吋砷化镓衬底、磷化铟衬底¥ 0.00立即购买
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磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer
各种规格的磷化铟衬底¥ 0.00立即购买
专业生产：砷化镓GaAs外延片 磷化铟InP外延片
优秀的技术团队
源于中科院的专业技术开发团队、专注于产品的研发和测试
优良的设备
多条美国Veeco公司的大型生产型分子束外延设备工艺线
丰富的量产经验
多年的技术积累与客户积累，实现多规格、多品种的量产
产品技术
作为第二代半导体材料的代表，砷化镓具有宽禁带，高频，高压， 抗辐射、耐高温及发光效率高等特性（相对），被广泛应用于移动通信（智能手机等）、无线通信（基站）、光纤通信、LED、光伏、等领域。其中 RF（射频）占比最高，主要应用于手机PA 和Switch，基站射频等方面 ；随着手机3D 面部感应渗透率提高、大容量光纤通信激光器的需求拉动，以 VECSEL 为代表的PHOTONICS（光电子）也将成为砷化镓增长的重要驱动力之一。
中科芯电产品包括射频用化合物半导体 PHEMT、HEMT 以及光电子用VCSEL 等产品。PHEMT、VCSEL 等产品的主要指标达到国际先进水平。以 6 英寸PHEMT 为例，中科芯电在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到国际同类产品指标水平。
产品规范
主要产品
