异质结双极暨假晶高电子迁移率晶体管外延芯片（BiHEMT）
ACS运用各类先进技术研发和制造高品质异质结双极暨假晶高电子迁移率晶体管外延产品。材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制。ACS致力于为您制造适合的产品。
BiHEMT （异质结双极暨假晶高电子迁移率晶体管外延芯片）是pHEMT和HBT的结合产物，类似于BiCMOS是Bipolar和CMOS的结合产物一样；BiHEMT经由电路设计透过外延生长及制造将InGaP HBT线性功率放大器、AlGaAs pHEMT高频开关、AlGaAs pHEMT逻辑控制电路、AlGaAs pHEM低噪声的功率放大器、被动组件及内部连接线路整合在单一砷化镓芯片中。
