激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
激光二极管(Laser Diode) 的LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation（基于受激发射的光放大）"的首字母组成的缩写单词，激光二极管也被称为半导体激光器，通常简称为LD。
LD可产生波长及相位等性质完全一样的光，因此相干性高(coherent)是其最大特点。
利用注入电流产生的光在2片镜片之间往返放大，直至激光振荡。简单的说，激光二极管也可以说成是一个通过反射镜将光放大的发光LED。
镭射二极管(Laser Diode, LD)具有轻、薄、短、小、高寿命、耐震、方向性佳及输出功率高等特性,适合供作长距离、大容量之通信用光源及存取高密度记录媒体，已大量应用于光通讯与光储存产业上，LD之发展颇被看好。
我司可生产的外延片红外波长为：
- 808nm：DPSS Nd：YAG 激光器中的 GaAlAs 泵浦（例如，在绿色激光指示器中或作为高功率激光器中的阵列）
- 848nm： 激光鼠标
- 980nm：用于光放大器的InGaAs泵浦，用于Yb：YAG DPSS激光器
- 1064 nm： AlGaAs 光纤通信，DPSS 激光泵浦频率
