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赝配高电子迁移率晶体管 (PHEMT)-GaAs砷化镓外延片

中科芯电产品包括射频用化合物半导体 PHEMT、HEMT 等产品的主要指标达到国际水平,在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标,均达到国际同类产品指标水平。

专业生产:砷化镓GaAs外延片 磷化铟InP外延片