霍尔元件材料（Hall components GaAs Epi Wafer）砷化镓外延片
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
GaAs霍尔元件的温度特性稳定，恒流驱动时的温度特性比恒压驱动时更稳定。
砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有更高的可靠性和稳定性，更适合用于安全性、速度要求更高的领域。
主要特点
- 低漂移
- 温度漂移小，使用方便
应用
- 手机和PC开合检测，摇杆检测，磁编码器
- 检测位置或车轮转速等
