异质结双极晶体管 HBT外延片 AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs
阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs
适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs
砷化镓(GaAs) HBT
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 异质结双极晶体管
一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管
阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
规格:
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs
特点:
HBT与结构相近的同质结晶体管相比,具有以下特点:
高速,可以到100GHz
特征频率fT高;
最高振荡频率fmax高;
厄利(Early)电压较高(因基区掺杂浓度高,耗尽区不易在基区内扩展);
基区穿通电压较高;
当输出功率大导热差时,Ic-UCE特性常出现负阻效应