金属半导体场效应晶体管 (GaAs-MESFET)砷化镓外延片

        GaAs(砷化镓)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT，同时结合了InP（磷化铟）基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的优点以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的优势，在毫米波频段展现出良好的应用潜力。 

        GaAs-MESFET（Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-半导体[接触势垒]场效应晶体管）具有优良的微波、高速、大功率和低噪音等性能。例如，对于栅长L=1μm、栅宽W=250μm的微波GaAs-MESFET的噪音，在C波段时为1 dB (相应的BJT为2 dB)，在Ku波段时为2.5~3 dB (相应的BJT为5 dB)。与微波硅BJT相比，GaAs-MESFET不仅工作频率高 (可达60GHz)、噪声低，而且饱和电平高、可靠性高等；这是由于与硅相比，n-GaAs外延材料的电子迁移率要大5倍、峰值漂移速度要大2倍，而且器件的衬底可用半绝缘GaAs（SI- GaAs ）以减小寄生电容。

        此外，HEMT由于其栅极往往是Schottky势垒栅，故实际上也可以看成是一种性能特别优良的超高频、超高速的MESFET。

        MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构（图1.24）。就PN结的特性而言，与肖特基二极管并无本质上的区别。众所周知，肖特基势垒的基本结构就是“Metal-Semiconductor”（金属-半导体），MESFET也是由此得名。虽然都是横向沟道，但是MESFET的沟道更短。