砷化镓GaAs边射型激光器结构材料 (GaAs EdgeEmitting Lasers)

一种边发射的发光激光器，它的发光区被限制在一边的很小部分，有限的光发射区能改善与光纤和集成光路的耦合效率。其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。